학회 정보

ISPSD 2024: International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs

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ISPSD
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투고 마감일:
2023-12-04
통보일:
2024-02-05
개최일:
2024-06-02
개최지:
Bremen, Germany
개최 횟수:
36
조회: 9356   팔로우: 0   참가: 0

회반 지수 (CP-I)

51.5 / 100
전체 5,684개 중 1,280위 · 상위 23%

전기·전자공학 분야 510개 중 61위

학술적 인정 (35%) 데이터 없음 — 중립 기준값 50점으로 계산 —
투고 선별성 (20%) 데이터 없음 — 중립 기준값 50점으로 계산 —
개최 횟수 (20%)
97
커뮤니티 관심도 (10%)
8
공개 자료 충실도 (15%)
25

사용한 입력: 확인되는 개최 횟수: 36 · 지난 24개월 동안 이 페이지를 연 연구자: 2명

공개 자료에서 빠진 항목: 역대 게재율 (+4.5) · 역대 회차 (+3.0) · 최우수 논문 기록 (+2.3)
주최자는 학회를 인증 신청한 뒤 이 페이지에서 바로 추가할 수 있습니다. 점수는 매일 밤 다시 계산됩니다. 이 점수를 올리는 방법

신뢰도 45% — 점수 중 중립 기준값이 아니라 실제 관측된 데이터에 근거한 비율. 이 점수는 어떻게 계산되나 · 전체 순위 보기 · 알고리즘 버전 1.1 · 산출일 2026-09-24

논문 모집

ISPSD 2024 (International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs) is an academic conference held in Bremen, Germany on 2024-06-02. The paper submission deadline is 2023-12-04. Acceptance notifications are sent on 2024-02-05.

Topics of Interest include but are not limited to Devices: Device Physics, Device Design, High Frequency Devices, High Power Devices, Smart Power Devices, Safe-Operating Area, Reliability, ESD Materials: Si, SiC, GaN, AlN, Ga2O3, Diamond, GaAs Power ICs: Isolation Techniques, SOI, Circuit Design, Device Technology, Energy Capability and SOA, Reliability, ESD, Power SoC, Monolithic vs. Hybrid Processes: Process Integration, Lifetime Control, Passivation, Crystal Growth, III-V (Hetero)-Epitaxial Growth Modelling/Simulation: Device and Circuit Simulation, Layout, Verification Tools, Packaging: Novel Packaging Concepts, Power SiP, Stress and Thermal Analysis, Thermal Management Applications: Hybrid Vehicles, Power Supplies, Computer and Telecom Power, Motor Drives, Utility Conference Tracks High Voltage Power Devices (HV): High voltage silicon based discrete devices (> 200 V) such as super junction MOSFETs, IGBTs, thyristors, GTOs and pn-diodes Low Voltage Power Devices and Power IC Technology (LVT): Low voltage silicon based discrete power devices (≤ 200 V) and power devices for power ICs of all voltage ranges Power IC Design (ICD): Circuit design and demonstration using power IC technology platform GaN and III/V Compound Materials (GaN): GaN and other III/V compound material (e.g. AlN, GaAs) based power devices, technology and integration, materials, and processing SiC and Other Materials (SiC): SiC and other material (e.g. Ga2O3, diamond) based power devices, technology and integration, materials, and processing Module and Package Technologies (PK): Package technology for modules, discrete power devices and power ICs
최종 수정: Dou Sun ()

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