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ISPSD 2027: IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs

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投稿締切日:
2026-12-16 残り 37 日
通知日:
2027-01-29
開催日:
2027-06-13
開催地:
Taipei, Taiwan
開催回数:
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閲覧: 9977   フォロー: 0   参加: 0
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ISPSD
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会伴インデックス (CP-I)

56.7 / 100
全 5,771 件中 第 773 位 · 上位 14%

電気・電子工学 分野 520 件中 第 23 位

学術的評価 (35%) データなし — 中立の基準値 50 点として算入 —
投稿の選択性 (20%) データなし — 中立の基準値 50 点として算入 —
開催回数 (20%)
99
コミュニティの注目度 (10%)
10
公開情報の充実度 (15%)
55

使用した入力: 確認できる開催回数：39 · 過去 24 か月にこのページを開いた研究者：3 人

公開情報で不足しているもの: 過去の採択率 (+4.5) · 最優秀論文の記録 (+2.3)
主催者は会議を認証申請したうえで、このページから直接追加できます。スコアは毎晩再計算されます。このスコアを上げるには

信頼度 45% — スコアのうち、中立の基準値ではなく実際に観測されたデータに基づく割合。 このスコアの算出方法 · ランキングを見る · アルゴリズム版 1.2 · 算出日 2026-11-08

論文募集

ISPSD 2027 (IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs) is an academic conference held in Taipei, Taiwan on 2027-06-13. The paper submission deadline is 2026-12-16. Acceptance notifications are sent on 2027-01-29.

Topics of Interest include but are not limited to Devices: Device Physics, Device Design, High Frequency Devices, High Power Devices, Smart Power Devices, Safe-Operating Area, Reliability, ESD Materials: Si, SiC, GaN, AlN, Ga2O3, Diamond, GaAs Power ICs: Isolation Techniques, SOI, Circuit Design, Device Technology, Energy Capability and SOA, Reliability, ESD, Power SoC, Monolithic vs. Hybrid Processes: Process Integration, Lifetime Control, Passivation, Crystal Growth, III-V (Hetero)-Epitaxial Growth Modelling/Simulation: Device and Circuit Simulation, Layout, Verification Tools, Packaging: Novel Packaging Concepts, Power SiP, Stress and Thermal Analysis, Thermal Management Applications: Hybrid Vehicles, Power Supplies, Computer and Telecom Power, Motor Drives, Utility Conference Tracks High Voltage Power Devices (HV): High voltage silicon based discrete devices (> 200 V) such as super junction MOSFETs, IGBTs, thyristors, GTOs and pn-diodes Low Voltage Power Devices and Power IC Technology (LVT): Low voltage silicon based discrete power devices (≤ 200 V) and power devices for power ICs of all voltage ranges Power IC Design (ICD): Circuit design and demonstration using power IC technology platform GaN and III/V Compound Materials (GaN): GaN and other III/V compound material (e.g. AlN, GaAs) based power devices, technology and integration, materials, and processing SiC and Other Materials (SiC): SiC and other material (e.g. Ga2O3, diamond) based power devices, technology and integration, materials, and processing Module and Package Technologies (PK): Package technology for modules, discrete power devices and power ICs
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